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去耦陶瓷电容的容值计算

文章出处:智旭电子

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发表时间:2019-07-10 16:51

去耦电容一般都安置在元件附近的电源处,以减少布线阻抗对滤波效果的影响,去耦电容多使用陶瓷电容,其数值由电压信号快上升和下降速度确定。去耦陶瓷电容的初衷是:不论IC对电流波动的规定和要求如何都要使电压限值维持在规定的允许误差范围之内。

去耦陶瓷电容的容值计算1.jpg

去耦陶瓷电容容值计算的表达式:C⊿U=I⊿t,其中⊿U是实际电源总线电压所允许的降低,单位为V、I是以A(安培)为单位的大要求电流、⊿t是这个要求所维持的时间。我们可以由公式计算出一个IC所要求的去耦电容的电容量C,推荐使用远大于1/m乘以等效开路电容的电容值。此处m是在IC的电源插针上所允许的电源总线电压变化的大百分数,一般IC的数据手册都会给出具体的参数值。

等效开路电容定义公式为:C=P/(fU^2),式中: P——IC所耗散的总瓦数; U——IC的大DC供电电压; f——IC的时钟频率。一旦决定了等效开关电容,再用远大于1/m的值与它相乘来找出IC所要求的总去耦陶瓷电容值。然后还要把结果再与连接到相同电源总线电源插针的总数相除,然后求得安装在每个连接到电源总线的所有电源插针附近的电容值。

去耦陶瓷电容的容值计算2.jpg

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